ຂ່າວ

ຂ້າງລຸ່ມນີ້ພວກເຮົາຈະແນະນໍາລັກສະນະຕ່າງໆຂອງຫນ້າຈໍ TFT LCD ໃນລາຍລະອຽດ:

(1) ຂະຫນາດໃຫຍ່: ການຜະລິດຄັ້ງທໍາອິດຂອງຊັ້ນໃຕ້ດິນແກ້ວຂະຫນາດໃຫຍ່ (3000mmx400mm) TFT ໃນຕົ້ນຊຸມປີ 1990, ພື້ນທີ່ substrate ແກ້ວໄດ້ຂະຫຍາຍເປັນ 6800mmx880mm ໃນເຄິ່ງທໍາອິດຂອງປີ 2000, ແລະ substrate ແກ້ວ 950mmx1200mm ຍັງໄດ້ຮັບການປະຕິບັດ. ເມື່ອບໍ່ດົນມານີ້.

(2) ການເຊື່ອມໂຍງສູງ: ຄວາມລະອຽດຂອງ LCD projection 1.3 ນິ້ວຊິບສະແດງ TFT ແມ່ນ XGA, ເຊິ່ງປະກອບດ້ວຍລ້ານ pixels. ຄວາມລະອຽດແມ່ນ. ຄວາມຫນາຂອງຟິມຂອງ 16.1 ນິ້ວ TFT amorphous silicon ຂອງ SXGA (1280x1024) ແມ່ນມີພຽງແຕ່ 50 nanometers. ການເຊື່ອມໂຍງດ້ານວິຊາການຂອງ TABONGLAS ແລະ SYSTEMONGLASS, ຄວາມຕ້ອງການດ້ານວິຊາການສໍາລັບອຸປະກອນແລະການສະຫນອງ, ແລະຄວາມຫຍຸ້ງຍາກດ້ານວິຊາການແມ່ນສູງກວ່າ LSI ແບບດັ້ງເດີມ.

(3) ຫນ້າທີ່ຄົບຖ້ວນສົມບູນ: ຈໍສະແດງຜົນຜລຶກຂອງແຫຼວ TFT ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ໃນເບື້ອງຕົ້ນເປັນວົງຈອນການຄັດເລືອກທີ່ຢູ່ matrix, ເຊິ່ງປັບປຸງຄຸນລັກສະນະຂອງວາວແສງສະຫວ່າງໄປເຊຍກັນຂອງແຫຼວ. ສໍາລັບຈໍສະແດງຜົນທີ່ມີຄວາມລະອຽດສູງ, ຫນ້າຈໍ LCD ສາມາດບັນລຸຄຸນນະພາບສູງ, ຄວາມລະອຽດສູງໂດຍການປັບແຮງດັນໄຟຟ້າໃນລະດັບ 0-6 ຈໍສະແດງຜົນ V (ຄ່າປົກກະຕິຂອງມັນແມ່ນ 0.2 ~ 4V) ແລະຄວບຄຸມອົງປະກອບເປົ້າຫມາຍຢ່າງຖືກຕ້ອງ.

(4) ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ: ຊັ້ນໃຕ້ດິນແກ້ວແລະຊັ້ນລຸ່ມພາດສະຕິກໂດຍພື້ນຖານແກ້ໄຂບັນຫາຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີຂະຫນາດໃຫຍ່ແລະເປີດພື້ນທີ່ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຢ່າງກວ້າງຂວາງສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງວົງຈອນປະສົມປະສານ semiconductor ຂະຫນາດໃຫຍ່.

(5) ຄວາມຍືດຫຍຸ່ນຂອງຂະບວນການ: ນອກເຫນືອໄປຈາກ sputtering, ເຕັກໂນໂລຊີ annealing laser, CVD (ການປ່ອຍ vapor ສານເຄມີ) MCVD ສາມາດເລືອກຮູບເງົາ amorphous, ຮູບເງົາຫຼາຍຜະລິດຕະພັນແລະຮູບເງົາຜະລິດຕະພັນດຽວນອກເຫນືອໄປຈາກການສ້າງຮູບເງົາແບບດັ້ງເດີມເຊັ່ນ: molecular vapor deposition ສານເຄມີ. ບໍ່ພຽງແຕ່ສາມາດເຮັດຟິມຊິລິໂຄນ, ແຕ່ຍັງເຮັດສິ່ງອື່ນໆ. ຮູບເງົາ I-VI ແລະ tetra-V semiconductor.

ໃນຂົງເຂດການນໍາໃຊ້ທົ່ວໄປ, ຫນ້າຈໍສະແດງຜົນຜລຶກຂອງແຫຼວ LCD ໂດຍອີງໃສ່ເທກໂນໂລຍີ TFT ແມ່ນອຸດສາຫະກໍາເສົາຄ້ໍາຂອງສັງຄົມຂໍ້ມູນຂ່າວສານ, ແລະຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອການພັດທະນາຢ່າງໄວວາຂອງ transistors ຮູບເງົາບາງໆ. (TFT-OLED) ຈໍສະແດງຜົນຮາບພຽງ.